China
2SK30A-GR

2SK30A-GR

Thương hiệu Toshiba
Mã nhà sx 2SK30A-GR
Mô tả Field effect transistor silicon N channel junction type
Datasheet 2SK30A-GR
Hết hàng (Đặt mua để có hàng sớm)
Số lượng mua:
Min: 1
Bội số: 1
0 Phản hồi
Yêu thích
Số lượng mua (Cái)
Đơn giá (VND)
1+ 4.000
50+ 3.900
100+ 3.800

Giao hàng toàn quốc

Thanh toán khi nhận hàng

đổi trảCam kết đổi/trả hàng

Thuộc tính Giá trị Tìm kiếm

Loại FET

Kênh N

Điện áp đánh thủng (V(BR)GSS)

-50 V

Điện áp Drain-Source(Vdss)

-50 V

Dòng Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6.5 mA @ 10 V

Điện áp Cutoff (VGS off) @ Id

-5V @ 0.1 µA

Công suất max

100 mW

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 125°C

Kiểu chân

Xuyên lỗ

Số chân

3

Kiểu đóng gói

TO-92

RoHS
ROHS
7 Sản phẩm tương tự

Đăng nhập